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중소기업 기술로드맵 조회결과

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전력반도체소자
* 발행 년도 : 2017년
1. 기술로드맵

전력반도체소자 기술로드맵

2. 개요
가. 정의 및 범위
  • 전력반도체는 전력변환, 전력변압, 전력안정, 전력분배 및 전력제어 등을 수행하는 데 사용되는 반도체 및 부품인 가운데, 차세대 전력반도체는 기존 Si기반의 반도체 소자 외에 WBG(화합물반도체) 물질(SiC, GaN, 인공다이아몬드) 기반의 소자로 제작하는 것으로 열특성 향상, 속도강화, 고전압/고전류 가능 및 스위칭 손실 최소화 등이 가능한 전력반도체
  • 전력 반도체 기술은 생산하기 위한 반도체 소자, 재료 및 부품, 공정, 장비 기술을 포함
나. 주요 제품

[ 전력반도체 기술범위 ]

전력반도체 기술범위
기술개발 테마분류세부기술
전력반도체 회로설계 저전압 아날로그 회로 설계
  • 저전압 동작전력 스케일링(Power Scaling) 기술
  • 스케일링 가능한 파라미터 요소 고려
  • 모듈/소자/전력IC 솔루션
  • 저전압 동작 전력 스케일링(power scaling) SNR확보 설계 기술
  • 아날로그-디지털 변환 ADC 설계 기술
  • 주파수 및 이득 특성 개선 설계 기술
고전압/고전류 반도체 설계
  • 소자-회로 연계 설계 기술
  • 차세대 전력소자 및 시스템 산업 Eco-system 구축
  • 소비 전력 조절 기술
전력 변환 회로 설계
  • 인버터/컨버터 회로 설계
  • 열방출 및 전력 변환 최적화 위한 시뮬레이션
소자제작 화합물 기반 전력반도체소자 기술
  • WBG 전력신소재 기반의 소자 기술 확보
  • Ron 온저항 최적화 설계 및 제작 기술
  • 미세 패턴 증착 기술
  • Doping 농도 조절 기술
  • 접합 계면 식각 기술
  • 열특성, 스위칭 특성 최적화 기술
  • 고전압/대전류 적용 가능한 기술 확보
반도체 소자 에피 성장 기술
  • SiC, GaN 등 WBG 물질 성장조건 확립
  • 이종/동종 성장 기술
  • 결함 제어 기술
모듈/패키징 모듈 제조공정 기술
  • 고온 환경에서 안정적인 동작을 위한 고온용 모듈재료 및 공정기술 개발
  • Contact저항 최소화를 위한 metal 구조 및 열처리 조건 확보를 통한 Ohmic 특성 향상 기술
  • 저항손실 감소를 위한 Multi-metal 구조 안정화 기술
소자 모듈 기술
  • PKG/모듈 기술 확보
  • 고내압/대전류 및 고신뢰성 설계 기술 확립
  • 전기적 저항 최소화 및 기존 Al wire 피로 수명 개선
  • 방열효과 극대화를 위한 재료 및 공정 개발
소자 회로 기술
  • 모듈/패키징 기술 신뢰성 및 안정적 동작 확보를 위한 구동 및 보호용 IC 내장 기술
  • 고속/저손실 소자를 적용한 회로설계 기술
  • 스위칭 속도 향상 및 전력손실 최소화 기술
  • 모듈 내 회로 최적화 및 열방출 최적화 기술

[ 공급망 단계별 주요제품 분류 ]

공급망 단계별 주요제품 분류
기술개발 테마분류세부제품 및 분야
전력반도체 반도체 소자기판 4인치, 6인치, 8인치
반도체 소자 에피 기판 에피 품질, 에피 두께
전력반도체소자 특성 전력변환, 전력변압, 전력안정, 전력분배, 전력제어
전력반도체소자 응용제품 IT, 가전, 자동차, 산업용
3. 시장현황 및 전망분석
가. 세계시장
전력 파워반도체 시장은 메모리(DRAM, NandFlash), CPU 시장과 비슷한 규모로, 광소자 시장의 2배인 시장으로 전력반도체 중에서 MOSFET은 약 45%를 차지하며, IGBT는 약 10%를 차지

고전압․고전류를 요하는 전기/하이브리드 자동차, 신재생 에너지 등의 전방산업의 수요로 인해 전력반도체 시장은 연평균 8%의 증가율을 보이며, ‘16년 172억 달러 규모에서 ’20년 241억 달러 규모로 급성장할 것으로 전망

[ 전력반도체 세계 시장규모 및 전망 ]

(단위 : 백만 달러, %)

전력반도체 세계 시장규모 및 전망
구분‘16‘17‘18‘19‘20‘21CAGR
세계시장 17,721 19,141 20,675 22,327 24,131 24,918 8.0

* 자료: Yano Research Institute Ltd. 2014, 반도체 중소기업기술로드맵(2015) 자료를 바탕으로 전망치 추정

MOSFET, IGBT와 같은 개별 전력반도체소자 시장 규모는 ’16년 114억 달러에서 ’19년 135억 달러 수준으로 성장 예상

  • 실리콘 기반의 MOSFET과 IGBT 등의 시장은, 향후 SiC나 GaN 등의 전력 신소재 기반 시장이 확대될 것으로 전망
  • 휴대폰, 노트북, 에어컨, 냉장고 등 다양한 가전제품 외에 하이브리드카, 전기차 등에도 전력 신소재 SiC가 적용됨에 따라 관련 파워반도체 수요가 급증할 것으로 예상

IoT(Internet of Things) 시장의 등장으로, ’20년 약 440억 달러 규모의 신규 반도체 시장이 형성될 것으로 예상되며, 이 중에서 “Smart 전력 관리 SoC 시장”은 약 120억 달러 규모로 예상

  • Smart 전력 관리 SoC는 소자뿐만 아니라, 회로 분야 산업으로 활용범위를 확대할 수 있는 전력반도체를 집적한 시스템반도체의 한 부분임
나. 국내시장

국내 전력반도체 시장규모는 2016년 기준 2조 1280억 원 규모로 추산되는 가운데 고효율 인버터, PMIC 등 관련 전력반도체 수요가 증가하여 연평균 성장률은 2.8%로 2021년에는 2조 4100억 규모의 시장으로 성장할 것으로 예상

  • 국내 전력반도체 시장을 이끌고 있는 산업으로는 전기․하이브리드 자동차 분야를 중심으로 고전력 산업 시장에 영향력이 높으며 최근에는 전자부품의 적용이 늘어가고 있는 추세로 향후에는 전자, 통신 등의 분야의 영향이 증가할 것으로 예상
  • 실리콘마이터스 같은 전력반도체 IC 팹리스 업체가 1,000억 원이 넘는 매출을 보이고 있으며, KEC, AUK 같은 중견기업도 MOSFET, small signal Tr 등에서 1,000억 원 이상의 매출을 올리고 있으나, 품목이 제한적이고 핵심요소기술용 고부가가치 제품(IGBT, Thyristor 등) 및 차세대 전력 신소재 기반 반도체 실적은 미비

[ 전력반도체소자의 국내 시장규모 및 전망 ]

(단위 : 억 원, %)

전력반도체소자의 국내 시장규모 및 전망
구분‘16‘17‘18‘19‘20‘21CAGR
국내시장 21,280 21,870 22,480 23,030 23,670 24,120 2.8

* 자료: 아이서플라이, 반도체 중소기업기술로드맵(2015) 자료 등을 바탕으로 전망치 추정

4.기술분석
가. 기술환경 분석

전력반도체는 전력을 시스템에 맞게 배분하는 제어와 변환기능을 가진 소자이며, 에너지를 절약하고 제품을 축소하기 위하여 전력공급 장치나 전력변환 장치에 사용

  • 전력반도체는 전기 에너지를 활용하기 위해 직류 교류 간의 전력변환(AC→DC), 전력변압(강압,승압), 전력안정(Power Stabilization), 전력분배(Power Management) 및 제어(Power Control)등을 수행하는 데 사용되는 반도체
  • 전력 반도체는 전력을 생산하는 발전 단계부터 사용하는 단계까지 여러 단계에서 다양한 역할을 수행

[ 전력반도체의 역할 ]

전력반도체의 역할

※자료 : 전자신문

전력반도체는 다양한 분야에 연관 응용 중

  • 컴퓨팅·통신·가전·산전·자동차 등의 전자 장치에 적용되며 최근에는 스마트폰을 비롯한 모바일 기기의 증가와 전기자동차의 개발과 맞물려 적용 범위가 확대
  • 구체적으로 살펴보면 고속 스위칭, 전력 손실 최소화, 소형 칩 사이즈, 발열 처리 등과 관련한 R&D가 활발하게 이루어져 LDI·휴대형 기기·가전기기·신재생 에너지·자동차 등에 사용되는 각종 부품의 절전화 및 친환경화에 중요한 역할을 수행

[ 전력반도체의 사용 분야와 종류 ]

전력반도체의 사용 분야와 종류

* 출처 : 전자신문

전력반도체는 개별소자, 직접회로 모듈로 구분

  • 응용분야와 내압 특성에 따라 개별소자(Device), 집적회로(IC) 및 다중소자를 package로 집적한 모듈(Module)로 나뉘며 산업응용분야에 따라 전력 레벨이 다른 반도체 소자가 사용
  • 개별소자는 Device 혹은 Discrete이라 불리며 전력 변환 및 전력 제어 등에 사용되는 반도체 소자이며 이들 개별 소자는 Package에 집적화된 모듈로 제품화
  • 전력반도체소자는 전력변환이나 전력제어를 담당하는 반도체 디바이스로서, 다이오드, 파워 트랜지스터, 사이리스터(thyristor) 등으로 구분되며 크게는 키고 끄는 동작(On-Off)을 할수 있는 스위치 소자와 정류작용을 하는 정류 소자로 분류
  • 사이리스터와 트랜지스터가 스위치 소자에 속하고, 다이오드는 정류 소자에 속한다. 파워 트랜지스터의 하위분류로 바이폴라 트랜지스터, 파워 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등이 포함
  • 직접회로는 주로 Power IC로 불리며 각종 Driver IC로 구성
  • 수십억개의 전자부품과 개별소자들을 한 개의 칩 속에 집적한 소자로 개별소자를 제어하는 역할을 수행하며 별도의 패키지를 통해 제품화되거나 IGBT 등 개별소자와 함께 모듈로도 사용
차량용 반도체는 차량 내·외부의 온도, 압력 및 속도 등의 각종 정보를 측정하는 센서와 엔진, 트랜스미션 및 전자장치 등을 조정하기 위해 사용되는 반도체로 안전과 직결되기 때문에 높은 신뢰성과 내구성이 요구되며, 진입장벽이 높은 고부가가치 시장

모바일, 가전용 반도체 시장은 점차 포화되고 있는 반면 차량용 반도체 시장은 고성장 중, 차량용 반도체 시장은 ‘14년 기준 전년 대비 10.3% 성장한 299억 달러 규모이며, 차량의 스마트화 및 자율주행 등 확실한 시장 견인요인에 의해 연평균 6% 이상의 고성장이 전망

  • 차량용 반도체 시장 성장은 자동차 판매 대수 증가보다는 차량 내 전장 부품 탑재 비중 증가에 기인하고 있으며, 하이브리드 및 전기자동차 시장 확대 등에 따라 지속 성장 전망
  • 지역별로는 미국과 아시아의 성장세가 비교적 큼. 국내의 경우 반도체 업계 매출의 96%가 컴퓨팅 하드웨어, 유무선 통신, 가전 등 3대 적용분야에 집중되어 있으며, 차량용 반도체는 2%에 불과하여 세계 차량용 반도체시장에서 국내 업체의 점유율은 3%에 불과
  • 현대기아차는 자동차 전장부품 개발 및 반도체 설계 분야 강화를 위해 현대모비스, 현대 케피코와 함께 현대오트론을 설립하고, 전자제어 소프트웨어 플랫폼과 차량용 반도체 설계를 핵심사업 영역으로 지정하면서 독자 개발을 추진
  • 현대모비스는 지능형 배터리 센서, 발전 제어 시스템을 제어하는 반도체, 주차지원 및 차선, 영상인식을 하는 반도체, 차선이탈경보, 레이더, 전자제어장치(ECU), 경보장치를 지원하는 반도체를 개발
  • 삼성전자는 2015년 전장사업 팀을 신설하고 단기간 내 역량 확보를 목표로 초기에는 인포테인먼트와 자율주행의 구현에 집중하고, 향후 삼성디스플레이, 삼성전기, 삼성SDI 등 계열사간 협업으로 자동차 관련 부품 사업을 추진
  • SK하이닉스는 네트워크 반도체 관련 공정 개발 등 차량용 반도체 외주생산과 파운드리 사업을 시작하여 차량용 하드웨어 IP를 개발하는데 주력하고 있으며, 일부 생산라인 공정을 시스템반도체로 전환
  • 만도는 Freescale과 협력하여 자동차용 반도체 기술을 개발하고 있으며, 환경 정보를 이용하는 지능형 차량 전자제어장치(ECU)를 개발
  • 동부하이텍은 자동차용 반도체 파운드리 전문기업으로 변화하기 위한 노력의 일환으로, 미국 자동차부품 협회(AEC) 품질기준 통과와 함께 차량용 반도체 생산기반을 마련하였으며, 15개국 이상의 차량용 반도체 업체의 디자인을 양산
  • 실리콘윅스는 4개의 모터를 하나의 반도체로 구동하는 멀티채널 모터 구동칩을 세계 최초로 개발하여 양산하고 있으며, 독일의 파운드리 기업인 X-Fab과 제휴하여 자동차의 위치 변화를 감지하여 엑셀레이터, 브레이크 등에 적용되는 변위센서의 양산을 시작
  • 네패스는 차세대 반도체 공정기술을 상용화하여 자동차용 첨단센서(Advanced Smart Cruise Control)를 양산
  • 에이디칩스는 팹리스 전문업체로 모뎀, 차선이탈 경고시스템, 지능형 교통시스템용 반도체 개발에 성공

전력반도체 회로 설계 분야

  • 나노 스케일로의 CMOS 집적화 기술이 심화되면서, 반도체 소자 및 제작기술에 따른 온도와 공정의 변화에 매우 민감한 아날로그 회로 설계 중요성 대두
  • 이득, 누설 전류, 잡음 등의 파라메터의 최적화가 중요하며, 배터리 구동의 장시간 동작과 경량화를 실현하기 위해 IC의 저전압 저전력화의 요구가 높아지고 있음.
  • 배터리로 동작하는 기기뿐만이 아니라, IC 전반에 걸쳐서 고속화와 저전압화가 중요
  • 저전압, 저전력 동작 전자기기의 대표적인 휴대 AV기기, 전자수첩, 전화기, 휴대전화, 각종 모바일 무선장치, 배터리 백업장치 등의 동작 전원 크기 변화로 인하여, 보다 저전압, 저전력화가 기술 개발의 핵심

아날로그-디지털 간의 신호변환기(ADC) 기술 확보를 위한 연구개발 활발

  • 자연계에 존재하는 아날로그 신호를 잡음에 둔감하고 신호처리가 용이한 디지털 신호로 변환
  • 요구되는 동작속도 및 해상도에 따라 플래시(flash), 연속근사(SAR) 구조 등이 있음
구동IC 회로는 해당 전력소자에 맞게 설계가 되어야하며 게이트 구동IC의 최적화에 따라 전력소자의 좋은 특성 획득 가능

차세대 전력소자용 게이트 구동IC 개발에 맞춘 새로운 게이트 구동IC가 요구

  • 900V/1200V/1700V 등 고전압 구현이 필요한 소자 들의 구동은 종래기술인 Level Shifting 방식으로는 구현하기 어려우므로, 해외 선두 업체들인 인피니언, 페어차일드(온세미) STMicro, 아날로그디바이스, 아바고 등 해외업체의 솔루션과 같은 방식을 활용하여 Galvanic Isolation 방식의 고내압 Isolation 기반 신규 게이트 구동IC 개발이 진행
  • 게이트 구동IC가 최적화될 경우 가장 좋은 특성을 얻을 수 있으므로 구동 IC 최적화 기술은 파워소자의 상용화 진입장벽을 낮출 수 있는 핵심요소기술
  • 대다수 선도 파워 반도체 공급업체는 자체 게이트구동IC 솔루션을 보유하고 있어 단품, SiP, 모듈 등에서 최적화된 회로를 구현하여 제공 중

전력반도체 선진국들은 소자 제작관련 연구개발 및 산업화 기반시설에 적극적으로 투자하고 있음

  • 해외 선진국은 차세대 전력신소재 기반 전력반도체소자 기술에 집중하는 개발 방향을 설정하고 전력을 다하고 투자를 증가시키고 있음.
  • 미국의 경우, NY-PEMC은 6인치 SiC 팹, 장비 구축과 함께 Baseline Process를 제공하여, 대기업, 중소기업의 차세대 전력반도체소자 및 시스템산업 Eco-system을 구축하고자 하고 있음.
  • 일본은 ’20년 SiC 소자 상용화를 목표로 TPEC를 주축으로 한 기반시설을 운용하며, TPEC 설립(‘12.1.)하고 차세대 WBG 고에너지갭 전력반도체 분야에 22.7억엔/5년 투자
  • 유럽의 경우 LAST-POWER와 Striking Technology for Power 프로그램에서 ‘10년부터 차세대 WBG 전력 반도체 분야에 약 7M€/5년 투자

전력변환 및 분배 시스템의 핵심 부품인 IGBT와 MOSFET은 전자기기 부품 대다수의 영역에 걸쳐 적용되고 있음

  • 용접기, 무정전 전원장치에서부터 가정용 소형 기기, 중형 인버터를 포함한 전기자동차, 고속철 및 송배전 등에 적용 가능한 대용량 인버터 등에 적용

전력 MOSFET의 경우는 고속 응용회로와 전력 변환의 핵심 소자로 사용

  • 시스템 전체의 효율을 높이기 위해 MOSFET 구조에서 중요한 인자인 on-저항을 줄이는 기술 개발이 활발하게 진행 중
  • 200V급 MOSFET의 특성 개선을 위해서는 저항부분이 가장 큰 Channel 영역과 에피 영역의 저항에 대한 연구가 필요
  • 600V급 이상의 MOSFET의 on-저항에 큰 영향을 끼치는 에피영역의 저항을 최소화하는 방향에 대한 연구가 필요

저항을 줄이기 위한 트랜치 게이트 구조 및 차세대 전력 신소재 기반 소자 기술 개발이 진행

  • 차세대 물질 기반 웨이퍼는 기존 실리콘 웨이퍼에 비해 고전압, 큰 전류에 강하고 열전도 특성도 뛰어나 전력량을 줄일 수 있으므로 '20년 이후 송전망, 자동차, 지하철, 가전 등에서 사용될 전망
  • 대구경화를 통한 가격 경쟁력을 확보하여 차세대 물질 기반 웨이퍼가 시장의 주류로 자리 잡아야 함

SiC 전력 반도체는 Si기반의 소자 대비 전력변환 손실이 적고, 재료물성이 우수해 산업기기, 태양전지, 전기차, 철도 등 파워 일렉트로닉스 분야에서 SiC 디바이스/모듈의 실용화가 요구

  • SiC 기반 소자 산업의 경우, Si 소자에 비해 물성이 우수한 반면 2세대 또는 3세대 이전의 Si 공정장비를 사용할 수 있어 투자대비 효과가 우수
  • 차세대 SiC 웨이퍼는 기존 실리콘 웨이퍼에 비해 대전류, 고전압에 강하고 발열 특성도 뛰어나 전력량을 줄일 수 있으므로 '20년 이후 가전, 자동차, 지하철, 송전망 등에 널리 사용이 확장될 것으로 예상
  • SiC는 FET, LED, 압력센서, HBT, SBD 등의 응용이 연구되고 있으며, 다이오드를 중심으로 상용화가 시작되어 MOSFET 제품이 시장에 나오고 있음
  • 가격대비 성능 관점에서 6인치 SiC 기판을 이용한 공정개발이 진행되고 있으며 저항을 줄이기 위해 트랜치 게이트 구조의 설계 기술과 소재/공정/소자 특성 연계 최적화 기술 등의 연구 개발이 진행 중

GaN 반도체는 고속 스위칭 소자로써 200V급 이하의 IT/Consumer 시스템에 주로 적용되거나, 650V급 신재생에너지(태양광;PV, 전력저장장치;ESS, 연료전지;FC 등) 산업 등에 적용 가능

  • 해외에서는 EPC, GaN Systems, Transphorm, Panasonic, TSMC 등 선두 기관에서는 모두 6인치 CMOS 호환 공정을 기반으로 고속, 저손실 GaN 파워반도체 소자를 GaN-on-Si 기판 상에 구현
  • 이러한 상용화 기술은 GaN-on-Si 웨이퍼 기반 수평구조(lateral) 소자로서 수직구조의 GaN 전력반도체 개발은 연구 초기 단계임

최근 신재생 에너지, Low Battery Driven Vehicle, 에너지 저장 분야(ESS) 및 전기차, 하이브리드차;EV/HEV 자동차 부분에 고효율 및 고신뢰성의 모듈 적용이 늘어나고 있는 중

  • 모듈/패키징을 구현하기 위한 소재와 공정의 개선, Solder layer의 삭제, 전기 저항 및 열적 저항을 줄이는 기술 등을 중심으로 개발됨. 모듈 제품 가운데 산업용 모터 구동 영역이 50%에 근접하므로 모듈 제품 개발 시에 주 목표 응용처로서 우선적으로 고려 필요
  • 국내 진출 해외 모듈업체인 Infineon, Mitsubishi, Semikron, Vincotech, Fuji 등의 Agent 및 자동화 부문을 가지고 있는 대기업과 UPS 관연 LS산전, 효성, 현대중공업이 있다. Welder를 제작하는 중소기업 등의 연간 사용 모듈이 주 시장을 형성

화합물 반도체 모듈 및 Multi Level 모듈

  • SiC 및 GaN을 적용한 모듈 들이 개발되고 있고, 기존의 2-Level 방식이 아닌 3-Level용 모듈 들이 개발되어지고 있으며, Reverse Blocking Module도 고객의 요청에 의해 개발이 되고 있다.
  • 우수한 고온, 고내전압 특성의 Wide Band Gap(WBG) 소자인 SiC, GaN chip의 특성을 극대화하고, 기존 Pb Free solder가 갖고 있는 신뢰성 부분을 개선하고자 Soldering 관련 다양한 연구가 이뤄지고 있음

Chip의 전기적 연결 기술은 전기적 저항을 최소화하고, 기존 Al Wire의 피로 수명 개선 및 이러한 전기적 연결을 통한 방열 효과 극대화할 수 있는 다양한 재료 및 공정 개발

  • Mitsubishi의 경우, Gate 및 protection을 위한 선 연결은 기존 Al Wire를 사용하였지만, Emitter Side의 전기적 연결은 Solder를 이용한 Cu Lead Frame을 사용하는 등의 개선을 시도
  • Terminal Interconnection의 경우 Mechanical/Thermal stress에 대한 취약점 개선이 관건이며, 모듈 process에서의 Soldering 공정의 최소화를 위한 기존 Soldering 대신 Ultra sonic welding 방식을 적용하는 개발이 이루어짐
  • Chip-DBC 및 Base Plate 간 연결의 경우, 이 Ag Sintering 기술과 일종의 Diffusion soldering의 일종인 TLPS(Transient Liquid Phase Bonding)기술이 개발, 상용화

DBC 절연물질 개선 및 Embedded 구조

  • 열팽창 계수를 Matching시키면서, 열적/전기적 저항을 줄일 수 있는 다양한 소재들이 개발되고 있으며, 기존 모듈과 같이 단일 부품으로서의 모듈이 아닌 Application-Fit 혹은 System-Fit의 중간 단계의 Embedded 구조를 갖는 구조에 대한 연구 개발이 진행
5. 핵심요소기술 선정
  • 확정된 요소기술을 대상으로 산․학․연 전문가로 구성된 핵심요소기술 선정위원회를 통하여 중소기업에 적합한 핵심요소기술 선정
  • 핵심요소기술 선정은 기술개발시급성(10), 기술개발파급성(10), 단기개발가능성(10), 중소기업 적합성 (10)을 고려하여 평가

[ 전력반도체소자 분야 핵심요소기술 ]

전력반도체소자 분야 핵심요소기술
분류핵심요소기술개요
회로설계 기술 저전압 아날로그 회로 설계 전력반도체의 저전압 기본 공정중 하나로서, 전류-전압 스위칭 특성의 변동이 큰 아날로그 회로 설계 기술
전력 변환 회로 설계 전력반도체의 핵심 특성인 에너지 고효율 개선특성에 맞게 소자 동작 시, 전력변환 손실이 적도록 만들어주는 회로 설계 기술
소자 기술 GaN on Si/SiC 에피소재 기반 전력반도체 WBG 소자로서 SiC, GaN 이외에 ZnO, CuI 등 소자 제작 공정조건 확보 및 최적화 기술 필요
수직형 GaN 전력반도체소자 수직형 GaN 전력반도체소자 제작 공정조건 확보 및 최적화 기술 필요
수평형 GaN 전력반도체소자 수평형 GaN 전력반도체소자 제작 공정조건 확보 및 최적화 기술 필요
GaN 기반 전력반도체 GaN 기반 소자 제작 공정조건 확보 및 최적화 기술 필요
모듈 패키징 기술 모듈, 이중반도체 집적 기술 전력반도체 모듈의 신뢰성을 높이고 안정적 동작을 위해 구동 및 보호용 IC 내장 기술 필요